中国最大的芯片代工厂中芯国际近日宣布台积电前研发资深处长梁孟松将担任其共同CEO，这对于中国的芯片制造业来说可谓是一个重大的利好消息，这将有助于中国迅速缩短与三星和台积电的差距。
梁孟松是台积电的技术研发大将，2003年台积电以自主技术击败IBM扬名全球的130nm“铜工艺”，被认为梁孟松的功劳仅次于资深研发副总蒋尚义，可见梁孟松对台积电的重要性。随后他在台积电的工艺演进中继续担任重要角色，更是FinFET工艺的重要负责人。
梁孟松出走三星后，三星从28nm跳跃至14nmFinFET，并先于台积电的16nmFinFET约半年时间量产，并在随后的10nm工艺上再次领先台积电量产，据说他还参与三星的7nm工艺研发，三星方面已确定明年下半年量产引入EUV技术的7nm工艺，而台积电明年量产的7nm工艺未加入EUV技术要到后年才能加入该技术，这意味着三星将再次在7nm工艺上领先台积电。
由此可见梁孟松在芯片制造工艺研发上所拥有的强大实力，也因此当外界传闻他将加入中芯国际后各方均极为瞩目，如今该消息坐实并且他将担任中芯国际的共同CEO，也可见中芯国际对他的重视。
除了梁孟松外，同样为台积电的芯片制造工艺做出重要贡献的蒋尚义也已加入中芯国际并担任独立董事，两位台积电前重要技术专家的加入，让中国业界对中芯国际在先进工艺研发上取得突破抱有期待。
中芯国际已投产28nm工艺，目前正在研发14nmFinFET并预期明年试产，梁孟松和蒋尚义的加入或许有助于中芯国际的14nmFinFET如期投产，应对台积电在中国大陆建设的南京工厂带来的挑战。
台积电面对中国大陆迅速发展的芯片产业当然心动，此前它已有上海松江厂，不过松江厂主要生产8寸晶圆无法满足大陆芯片企业的需求，南京厂则生产12寸晶圆并且将引入16nmFinFET工艺，这对中芯国际来说是非常大的挑战，迫使中芯国际需要及时投产14nmFinFET工艺予以应对。
梁孟松的加入还将有助于中芯国际研发更先进的10nm甚至7nm工艺，从梁孟松加入三星之后帮助它在14nmFinFET、10nm、7nm工艺的研发可知他的实力，而中芯国际任命他担任共同CEO很可能会委任他负责工艺研发工作，再加上大陆集成电路产业基金的支持，中芯国际在先进工艺上预计将迅速取得突破。
中国的芯片设计企业已取得许多优异的成绩，手机芯片行业成长起了华为海思、展讯等芯片设计企业，平板芯片企业则有瑞芯微，穿戴设备有君正，唯独在芯片制造方面稍微落后，中芯国际作为中国大陆最大的芯片制造企业承担了推进先进工艺研发的重任，如它在先进工艺方面取得突破，中国芯片产业整体将会同步前进，也将有助于中国制造向中国创造转型。
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