在联发科紧锣密鼓的宣传它预计明年初上市的中端芯片P40和P70的时候，高通也不闲着，其中高端芯片骁龙670预计明年初上市，而目前它已发布一款性能较骁龙630提升40%的中端芯片骁龙636，无疑意在压制联发科。
联发科今年可谓是相当弱势的一年，上半年发布的高端芯片helio X30仅有魅族采用，由于台积电的10nm工艺产能有限和优先照顾苹果导致其中端芯片P35夭折，随后临时推出了两款主要是升级基带以迎合中国最大运营商中国移动的P23和P30，但是在性能方面仅与高通中端芯片骁龙625相当。
相比之下，高通今年可谓相当风光，高端芯片骁龙835广受三星和中国大陆手机企业欢迎，纷纷采用这款芯片发布旗舰手机；中高端芯片骁龙660则被国产第二大手机企业OPPO买断两个月，到期后众多手机企业纷纷采用这款芯片推出中高端手机。
中端手机芯片骁龙625从去年发布至今一直都广受欢迎，中低端芯片骁龙4XX系列也被中国大陆手机企业采用。即使被视为“万年联发科”的魅族也在今年发布了首款采用高通芯片的智能手机魅蓝note6。
这帮助高通在中国大陆智能手机芯片市场的份额不断跃升，今年二季度重夺中国智能手机芯片市场份额第一的位置，而联发科的市场份额则持续下滑。
高通在这个时候发布这款性能提升约四成的中端芯片骁龙636，而且罕有的在中端芯片上也采用了自主架构kryo，可见它对中端市场的重视。
骁龙636与骁龙660均为八核kryo260架构，14nmFinFET工艺，主要的区别在于它们的核心频率。骁龙660的四个大核主频为2.2GHz、四个小核主频为1.8GHz，高通没有公布骁龙636的核心频率但有消息人士指它的主频最高是1.8GHz，可被认为是骁龙660的缩水版。
联发科将在明年发布的P40、P70采用12nmFinFET工艺生产，该工艺只是稍强于14nmFinFET工艺被认为是16nmFinFET的改进版；P40为双核A73+四核A53架构，在性能方面估计要稍微落后于高通的骁龙660；P70未知其性能参数，推测为四核A73+四核A53架构，性能应稍强于骁龙660。
高通明年初上市的骁龙670将采用10nm工艺生产，性能方面将较骁龙660有较大的提升，估计压制联发科的P70不成问题，这样它在高端市场和中高端市场将形成无人能敌的局面。在中端市场则依靠骁龙660、骁龙636与联发科竞争，在中低端还有骁龙4XX系列，在市场布局上赢得先手。
当然这也说明高通自身也面临着相当大的压力，而不得不大幅提升其中端芯片的性能，甚至不惜将它的高性能自主架构引入中端芯片。市场现实似乎也体现了这一点，今年高通其实也发布了一款新的中端芯片骁龙630以取代骁龙625，不过并没获得太多手机企业的采用，据说到目前只有三款手机采用这款芯片，更多手机企业采用“旧款”的骁龙625，这应该也是迫使高通发布性能大幅提升的骁龙636的一个因素。
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