南亚科新厂效益显现，在有更大空间安置机台，并进行30纳米机台改换工程，加上产品设计、产品及客户验证执行成效佳，第3季底20纳米月产出量已逾1万片，目标今年底前每月投片量可达3.8万片。
预估到年底合计30纳米3万片产能，合计月投片量6.8万片。
南亚科总经理李培瑛昨（17）日宣布，20纳米4Gb DDR3产品已量产出货，8Gb DDR4产品规划于第4季量产。
有20纳米优势助攻，南亚科也将在睽违多年后重返服务器市场。明年也会把标准型DRAM比重提升，侧重商务NB。
李培瑛预估，南亚科第4季位元销售量预估成长约中十位数字百分比（约15%），今年全年位元销售量预估与去年相当。随20纳米量产，明年年成长率可达45%。
对于本季DRAM产业市况，李培瑛表示，供需吃紧情况比第3季严重一些，预估报价会持续上扬，其中以低功率类DRAM涨幅会较大。
从需求端来看，第四季服务器、资料中心需求热度不减，AI持续发酵，对存储器容量需求持续攀高，至于PC端则以商业市场为主，消费市场为辅。
手机的存储器需求部分，第四季为手机产业旺季，旗舰机种陆续推出，存储器容量维持3GB到6GB。
在消费性市场方面，进入产业旺季，电视、机顶盒、网通等需求持续增温。至于供给端方面，位元成长来自制程转换；并不会有大量供给增加。
展望明年第一季，李培瑛预估，随着需求持续稳健，DRAM供需仍会维持平衡，因此届时报价可望与本季持稳。
就2018年全年来看，DRAM市场将持续维持稳健；预估明年DRAM供给温和成长，年增率估在21%到23%，需求端稳健成长，预估明年整体市场需求比今年成长约22%到24%。
来源：台湾经济日报amp;工商时报
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